May 17th, 2011

serj-aleks08

Работу мемристора исследовали на наноуровне

Ранее были изучены только электрические свойства мемристоров, но процессы на микроскопическом и наноуровне, связанные с движением электрического заряда, со способностью обратимо изменять сопротивление и структуру материала, оставались загадкой... Полученные данные позволят создать математическую модель для дальнейших исследований. "Без этой ключевой информации мы могли только строить догадки и работать над устройством в режиме случайного поиска, – прокомментировал значение исследования доктор Стэн Уильямс (Stan Williams) из Hewlett Packard. – Теперь мы знаем, что можно конструировать мемристоры, которые могут быть использованы как многоуровневое хранилище, мы можем сохранять не один бит, а более четырех"."
http://rnd.cnews.ru/tech/news/line/index_science.shtml?2011/05/17/440437